陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

陈星弼院士曾在采访中谈到对于科学真理的追求，他说：宇宙很大，人生苦短。人生的目的到底是什么？我认为一个人对人类有一点点贡献，就不愧此生。马克思说过“科学绝不是一种自私自利的享乐。有幸能够致力于科学的人，首先应该拿自己的学识为人类服务”。能够在短促的人生中，以科学服务人类，这就是我此生不倦追求。希望有更多的青年献身科研，成为服务国家科研发展的脊梁。

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来源：综合封面新闻、红星新闻、网友评论

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